FDD4N60NZ MOSFET 2.5A kimeneti áram GateDrive optocsavar

Gyártók: ON Semiconductor

Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Single

Leírás: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

RoHS állapot: RoHS-kompatibilis

Termék leírás

Terméktulajdonság	Attribútum értéke
Gyártó:	onsemi
Termékkategória:	MOSFET
RoHS:	Részletek
Technológia:	Si
Szerelési stílus:	SMD/SMT
Csomag/tok:	DPAK-3
Tranzisztor polaritás:	N-csatorna
Csatornák száma:	1 csatorna
Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége:	600 V
Id - Folyamatos leeresztő áram:	1,7 A
Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás:	1,9 Ohm
Vgs – kapuforrás feszültség:	- 25 V, + 25 V
Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség:	5 V
Qg – Kapudíj:	8,3 nC
Minimális üzemi hőmérséklet:	-55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:	+ 150 C
Pd - Teljesítmény disszipáció:	114 W
Csatorna mód:	Fokozás
Kereskedelmi név:	UniFET
Csomagolás:	Orsó
Csomagolás:	Vágja le a szalagot
Csomagolás:	MouseReel
Márka:	onsemi / Fairchild
Konfiguráció:	Egyetlen
Őszi idő:	12,8 ns
Forward Transconductance - Min:	3,4 S
Magasság:	2,39 mm
Hossz:	6,73 mm
Termék:	MOSFET
Terméktípus:	MOSFET
Emelkedési idő:	15,1 ns
Sorozat:	FDD4N60NZ
Gyári csomag mennyiség:	2500
Alkategória:	MOSFET-ek
Tranzisztor típusa:	1 N-csatorna
Tipikus kikapcsolási késleltetési idő:	30,2 ns
Tipikus bekapcsolási késleltetési idő:	12,7 ns
Szélesség:	6,22 mm
Egység súlya:	0,011640 oz