NTZD3154NT1G MOSFET 20V 540mA kettős N-csatornás ESD-vel

Rövid leírás:

Gyártók: ON Semiconductor
Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Tömbök
Adatlap:NTZD3154NT1G
Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 0,54A SOT-563
RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Alkalmazások

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Terméktulajdonság Attribútum értéke
Gyártó: onsemi
Termékkategória: MOSFET
Technológia: Si
Szerelési stílus: SMD/SMT
Csomag/tok: SOT-563-6
Tranzisztor polaritás: N-csatorna
Csatornák száma: 2 csatorna
Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége: 20 V
Id - Folyamatos leeresztő áram: 570 mA
Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás: 550 mOhm, 550 mOhm
Vgs – kapuforrás feszültség: - 7 V, + 7 V
Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség: 450 mV
Qg – Kapudíj: 1,5 nC
Minimális üzemi hőmérséklet: -55 C
Maximális üzemi hőmérséklet: + 150 C
Pd - Teljesítmény disszipáció: 280 mW
Csatorna mód: Fokozás
Csomagolás: Orsó
Csomagolás: Vágja le a szalagot
Csomagolás: MouseReel
Márka: onsemi
Konfiguráció: Dupla
Őszi idő: 8 ns, 8 ns
Forward Transconductance - Min: 1 S, 1 S
Magasság: 0,55 mm
Hossz: 1,6 mm
Termék: MOSFET kis jel
Terméktípus: MOSFET
Emelkedési idő: 4 ns, 4 ns
Sorozat: NTZD3154N
Gyári csomag mennyiség: 4000
Alkategória: MOSFET-ek
Tranzisztor típusa: 2 N-csatorna
Tipikus kikapcsolási késleltetési idő: 16 ns, 16 ns
Tipikus bekapcsolási késleltetési idő: 6 ns, 6 ns
Szélesség: 1,2 mm
Egység súlya: 0,000106 oz

  • Előző:
  • Következő:

  • • Alacsony RDS(on) A rendszer hatékonyságának javítása
    • Alacsony küszöbfeszültség
    • Kis alapterület 1,6 x 1,6 mm
    • ESD védett kapu
    • Ezek az eszközök Pb-mentesek, halogénmentesek/BFR-mentesek és RoHS-kompatibilisek

    • Terhelés/Tápellátás kapcsolók
    • Tápegység átalakító áramkörök
    • Akkumulátorkezelés
    • Mobiltelefonok, digitális fényképezőgépek, PDA-k, személyhívók stb.

    Kapcsolódó termékek