SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

Rövid leírás:

Gyártók: Vishay / Siliconix
Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Single
Adatlap:SI3417DV-T1-GE3
Leírás: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Alkalmazások

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Terméktulajdonság Attribútum értéke
Gyártó: Vishay
Termékkategória: MOSFET
RoHS: Részletek
Technológia: Si
Szerelési stílus: SMD/SMT
Csomag/tok: TSOP-6
Tranzisztor polaritás: P-csatorna
Csatornák száma: 1 csatorna
Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége: 30 V
Id - Folyamatos leeresztő áram: 8 A
Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás: 36 mOhm
Vgs – kapuforrás feszültség: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség: 3 V
Qg – Kapudíj: 50 nC
Minimális üzemi hőmérséklet: -55 C
Maximális üzemi hőmérséklet: + 150 C
Pd - Teljesítmény disszipáció: 4,2 W
Csatorna mód: Fokozás
Kereskedelmi név: TrenchFET
Sorozat: SI3
Csomagolás: Orsó
Csomagolás: Vágja le a szalagot
Csomagolás: MouseReel
Márka: Vishay félvezetők
Konfiguráció: Egyetlen
Magasság: 1,1 mm
Hossz: 3,05 mm
Terméktípus: MOSFET
Gyári csomag mennyiség: 3000
Alkategória: MOSFET-ek
Szélesség: 1,65 mm
Egység súlya: 0,000705 oz

  • Előző:
  • Következő:

  • • TrenchFET® Power MOSFET

    • 100 % Rg és UIS tesztelt

    • Anyag kategorizálás:
    A megfelelőség definícióit lásd az adatlapon.

    • Terhelési kapcsolók

    • Adapter kapcsoló

    • DC/DC átalakító

    • Mobil számítástechnika/fogyasztói használatra

    Kapcsolódó termékek