BSS123LT1G MOSFET 100V 170mA N-csatorna

Rövid leírás:

Gyártók: ON Semiconductor

Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Single

Adatlap:BSS123LT1G

Leírás: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Terméktulajdonság Attribútum értéke
Gyártó: onsemi
Termékkategória: MOSFET
RoHS: Részletek
Technológia: Si
Szerelési stílus: SMD/SMT
Csomag/tok: SOT-23-3
Tranzisztor polaritás: N-csatorna
Csatornák száma: 1 csatorna
Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége: 100 V
Id - Folyamatos leeresztő áram: 170 mA
Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás: 6 Ohm
Vgs – kapuforrás feszültség: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség: 1,6 V
Qg – Kapudíj: -
Minimális üzemi hőmérséklet: -55 C
Maximális üzemi hőmérséklet: + 150 C
Pd - Teljesítmény disszipáció: 225 mW
Csatorna mód: Fokozás
Csomagolás: Orsó
Csomagolás: Vágja le a szalagot
Csomagolás: MouseReel
Márka: onsemi
Konfiguráció: Egyetlen
Forward Transconductance - Min: 80 mS
Magasság: 0,94 mm
Hossz: 2,9 mm
Termék: MOSFET kis jel
Terméktípus: MOSFET
Sorozat: BSS123L
Gyári csomag mennyiség: 3000
Alkategória: MOSFET-ek
Tranzisztor típusa: 1 N-csatorna
Típus: MOSFET
Tipikus kikapcsolási késleltetési idő: 40 ns
Tipikus bekapcsolási késleltetési idő: 20 ns
Szélesség: 1,3 mm
Egység súlya: 0,000282 oz

 


  • Előző:
  • Következő:

  • • BVSS előtag autóipari és egyéb alkalmazásokhoz, amelyek egyedi helyszín- és vezérlésmódosítási követelményeket igényelnek;AEC-Q101 minősített és PPAP-képes

    • Ezek az eszközök Pb-mentesek és RoHS-kompatibilisek

    Kapcsolódó termékek