FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

Rövid leírás:

Gyártók: ON Semiconductor

Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Single

Adatlap:FDN337N

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Atributo del producto Valor de atributo
Gyártó: onsemi
Termékkategória: MOSFET
RoHS: Detalles
Technológia: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SSOT-3
Polaridad del tranzisztor: N-csatorna
Numero de canales: 1 csatorna
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id - Corriente de drenaje continua: 2,2 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 65 mOhm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 400 mV
Qg – Carga de puerta: 9 nC
Minimális trabajo hőmérséklet: -55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia: 500 mW
Modo csatorna: Fokozás
Empaquetado: Orsó
Empaquetado: Vágja le a szalagot
Empaquetado: MouseReel
Marka: onsemi / Fairchild
Konfiguráció: Egyetlen
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S
Altura: 1,12 mm
Hosszúság: 2,9 mm
Termék: MOSFET kis jel
Termék tipp: MOSFET
Tiempo de subida: 10 ns
Sorozat: FDN337N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Alkategória: MOSFET-ek
Tranzisztor típus: 1 N-csatorna
Tipo: FET
Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns
Tiempo típico de demora de enndido: 4 ns
Ancho: 1,4 mm
Alias ​​de las piezas n.º: FDN337N_NL
Peso de la Unidad: 0,001270 oz

♠ Tranzisztor - N-csatornás, logikai szint, továbbfejlesztett módú térhatás

A SUPERSOT-3 N-Channel logikai szintjavítási módú teljesítmény-mező effektus tranzisztorokat az onsemi szabadalmaztatott, nagy cellasűrűségű DMOS technológiájával állítják elő.Ezt a nagyon nagy sűrűségű eljárást különösen a bekapcsolási ellenállás minimalizálására szabták.Ezek az eszközök különösen alkalmasak alacsony feszültségű alkalmazásokhoz notebook számítógépekben, hordozható telefonokban, PCMCIA kártyákban és más akkumulátoros áramkörökben, ahol gyors váltásra és alacsony hálózati áramveszteségre van szükség egy nagyon kis körvonalú felületre szerelhető csomagban.


  • Előző:
  • Következő:

  • • 2,2 A, 30 V

    ♦ RDS(be) = 0,065 @ VGS = 4,5 V

    ♦ RDS(be) = 0,082 @ VGS = 2,5 V

    • Ipari szabványos vázlat SOT-23 felületre szerelhető csomag, szabadalmaztatott SUPERSOT-3 kialakítással a kiváló hő- és elektromos képességek érdekében

    • Nagy sűrűségű cellakialakítás a rendkívül alacsony RDS-hez (bekapcsolva)

    • Kivételes bekapcsolási ellenállás és maximális egyenáram-képesség

    • Ez az eszköz Pb- és halogénmentes

    Kapcsolódó termékek