FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
♠ Termékleírás
| Terméktulajdonság | Attribútum értéke |
| Gyártó: | onsemi |
| Termékkategória: | MOSFET |
| Technológia: | Si |
| Szerelési stílus: | Lyukon keresztül |
| Csomag/tok: | TO-251-3 |
| Tranzisztor polaritás: | N-csatorna |
| Csatornák száma: | 1 csatorna |
| Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége: | 600 V |
| Id - Folyamatos leeresztő áram: | 1,9 A |
| Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás: | 4,7 Ohm |
| Vgs – kapuforrás feszültség: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség: | 2 V |
| Qg – Kapudíj: | 12 nC |
| Minimális üzemi hőmérséklet: | -55 C |
| Maximális üzemi hőmérséklet: | + 150 C |
| Pd - Teljesítmény disszipáció: | 2,5 W |
| Csatorna mód: | Fokozás |
| Csomagolás: | Cső |
| Márka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguráció: | Egyetlen |
| Őszi idő: | 28 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Magasság: | 6,3 mm |
| Hossz: | 6,8 mm |
| Terméktípus: | MOSFET |
| Emelkedési idő: | 25 ns |
| Sorozat: | FQU2N60C |
| Gyári csomag mennyiség: | 5040 |
| Alkategória: | MOSFET-ek |
| Tranzisztor típusa: | 1 N-csatorna |
| Típus: | MOSFET |
| Tipikus kikapcsolási késleltetési idő: | 24 ns |
| Tipikus bekapcsolási késleltetési idő: | 9 ns |
| Szélesség: | 2,5 mm |
| Egység súlya: | 0,011993 oz |
♠ MOSFET – N-csatornás, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Ezt az N-Channel bővítési módú MOSFET-et az onsemi szabadalmaztatott planar csíkjával és DMOS technológiájával állítják elő.Ezt a fejlett MOSFET technológiát kifejezetten a bekapcsolt állapot ellenállásának csökkentésére, valamint kiváló kapcsolási teljesítmény és nagy lavinaenergia-erősség biztosítására fejlesztették ki.Ezek az eszközök alkalmasak kapcsolóüzemű tápegységekre, aktív teljesítménytényező korrekcióra (PFC), valamint elektronikus lámpaelőtétekre.
• 1,9 A, 600 V, RDS (be) = 4,7 (max.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Alacsony kaputöltés (8,5 nC típus)
• Alacsony Crss (típus: 4,3 pF)
• 100%-ban lavina tesztelt
• Ezek az eszközök halidmentesek és RoHS-kompatibilisek
