NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA kettős N-csatornás

Rövid leírás:

Gyártók: ON Semiconductor
Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Tömbök
Adatlap:NTJD4001NT1G
Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Alkalmazások

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Terméktulajdonság Attribútum értéke
Gyártó: onsemi
Termékkategória: MOSFET
RoHS: Részletek
Technológia: Si
Szerelési stílus: SMD/SMT
Csomag/tok: SC-88-6
Tranzisztor polaritás: N-csatorna
Csatornák száma: 2 csatorna
Vds – Lefolyóforrás leállási feszültsége: 30 V
Id - Folyamatos leeresztő áram: 250 mA
Rds bekapcsolva – Lefolyóforrás ellenállás: 1,5 Ohm
Vgs – kapuforrás feszültség: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source küszöbfeszültség: 800 mV
Qg – Kapudíj: 900 db
Minimális üzemi hőmérséklet: -55 C
Maximális üzemi hőmérséklet: + 150 C
Pd - Teljesítmény disszipáció: 272 mW
Csatorna mód: Fokozás
Csomagolás: Orsó
Csomagolás: Vágja le a szalagot
Csomagolás: MouseReel
Márka: onsemi
Konfiguráció: Dupla
Őszi idő: 82 ns
Forward Transconductance - Min: 80 mS
Magasság: 0,9 mm
Hossz: 2 mm
Termék: MOSFET kis jel
Terméktípus: MOSFET
Emelkedési idő: 23 ns
Sorozat: NTJD4001N
Gyári csomag mennyiség: 3000
Alkategória: MOSFET-ek
Tranzisztor típusa: 2 N-csatorna
Tipikus kikapcsolási késleltetési idő: 94 ns
Tipikus bekapcsolási késleltetési idő: 17 ns
Szélesség: 1,25 mm
Egység súlya: 0,010229 oz

 


  • Előző:
  • Következő:

  • • Alacsony kaputöltés a gyors váltásért

    • Kis lábnyom – 30%-kal kisebb, mint a TSOP-6

    • ESD védett kapu

    • AEC Q101 minősített – NVTJD4001N

    • Ezek az eszközök Pb-mentesek és RoHS-kompatibilisek

    • Alacsony oldalterhelés kapcsoló

    • Li-Ion akkumulátorral ellátott eszközök – Mobiltelefonok, PDA-k, DSC

    • Buck konverterek

    • Szinteltolások

    Kapcsolódó termékek