NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

Rövid leírás:

Gyártók: ON Semiconductor

Termékkategória: Tranzisztorok – FET-ek, MOSFET-ek – Tömbök

Adatlap:NTJD5121NT1G

Leírás: MOSFET 2N-CH 60V 0,295A SOT363

RoHS állapot: RoHS-kompatibilis


Termék leírás

Jellemzők

Alkalmazások

Termékcímkék

♠ Termékleírás

Atributo del producto Valor de atributo
Gyártó: onsemi
Termékkategória: MOSFET
RoHS: Detalles
Technológia: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SC-88-6
Polaridad del tranzisztor: N-csatorna
Numero de canales: 2 csatorna
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id - Corriente de drenaje continua: 295 mA
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 1,6 Ohm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg – Carga de puerta: 900 db
Minimális trabajo hőmérséklet: -55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia: 250 mW
Modo csatorna: Fokozás
Empaquetado: Orsó
Empaquetado: Vágja le a szalagot
Empaquetado: MouseReel
Marka: onsemi
Konfiguráció: Dupla
Tiempo de caída: 32 ns
Altura: 0,9 mm
Hosszúság: 2 mm
Termék tipp: MOSFET
Tiempo de subida: 34 ns
Sorozat: NTJD5121N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Alkategória: MOSFET-ek
Tranzisztor típus: 2 N-csatorna
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de enndido: 22 ns
Ancho: 1,25 mm
Peso de la Unidad: 0,000212 oz

  • Előző:
  • Következő:

  • • Alacsony RDS (be)

    • Alacsony kapuküszöb

    • Alacsony bemeneti kapacitás

    • ESD védett kapu

    • NVJD előtag autóipari és egyéb alkalmazásokhoz, amelyek egyedi helyszín- és vezérlésmódosítási követelményeket igényelnek;AEC-Q101 minősített és PPAP-képes

    • Ez egy Pb-mentes eszköz

    • Alacsony oldalterhelés kapcsoló

    • DC-DC átalakítók (Buck és Boost áramkörök)

    Kapcsolódó termékek